DC-20GHz射频MEMS开关

• 作者: 朱健 林立强 林金庭
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统 射频开关 宽带
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 706-709
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 404字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.006

摘要

描述了DC-20GHz射频MEMS开关的设计和制造工艺.开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构,形成一个单刀单掷(SPST)并联设置的金属-绝缘体-金属接触.开关通过上下电极之间的静电力进行控制,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容.测试结果如下:射频MEMS开关驱动电压约为20V,在"开”态下DC-20GHz带宽的插入损耗小于0.69dB;在"关”态下在14-18GHz时隔离大于13dB,在18-20GHz时隔离大于16dB.本器件为国内首只研制成功的宽带射频MEMS开关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱健		43	318	11.0	16.0
2	林立强		4	34	3.0	4.0
3	林金庭		30	238	10.0	14.0