CMOS射频集成电路的现状与进展

• 作者: 吴恩德 王志华
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS射频集成电路 收发器件系结构 低噪声放大器 混频器 频率综合器 功率放大器
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 233-238
• 页数: 6页
• 分类号: TN409
• 字数: 8065字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.02.024

摘要

随着低功耗、可移动个人无线通信的发展和CMOS工艺性能的提高，用CMOS工艺实现无线通信系统的射频前端不仅必要而且可能.本文讨论了用CMOS工艺实现射频集成电路的特殊问题.首先介绍各种收发器的体系结构，对它们的优缺点进行比较，指出在设计中要考虑的一些问题.其次讨论CMOS射频前端的重要功能单元，包括低噪声放大器、混频器、频率综合器和功率放大器.对各单元模块在设计中的技术指标，可能采用的电路结构以及应该注意的问题进行了讨论.此外，论文还讨论了射频频段电感、电容等无源器件集成的可能性以及方法.最后对CMOS射频集成电路的发展方向提出了一些看法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志华	清华大学电子工程系	183	1964	21.0	36.0
2	吴恩德	清华大学电子工程系	7	142	6.0	7.0