新颖的衬底pn结隔离型硅射频集成电感

• 作者: 严金龙 刘畅 陈学良
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅集成电感 品质因素 涡流 pn结隔离
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1486-1489
• 页数: 4页
• 分类号: TM55
• 字数: 819字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.12.002

摘要

提出了一种新的减小硅集成电感衬底损耗的方法.这种方法是直接在硅衬底形成间隔的pn结隔离以阻止螺旋电感诱导的涡流.衬底pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺.本文设计和制作了硅集成电路,测量了硅集成电感的S参数并且从测量数据提取了电感的参数.研究了衬底结隔离对硅集成电感的品质因素Q的影响.结果表明一定深度的衬底结隔离能够取得很好的效果.在3GHz,衬底pn结隔离能使电感的品质因素Q值提高40%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘畅	中国科学院上海冶金研究所微电子学分部	118	1090	17.0	29.0
2	陈学良	中国科学院上海冶金研究所微电子学分部	5	40	3.0	5.0
3	严金龙	中国科学院上海冶金研究所微电子学分部	3	39	3.0	3.0