P阱硅栅CMOS电路阈值电压漂移现象的分析和采取的解决办法

• 作者: 高庆宁
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 阈值电压漂移 集成电路 注入能量 P阱硅栅 CMOS电路
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 13-18
• 页数: 6页
• 分类号: TN432

摘要

针对CMOS集成电路制造工艺中出现的阈值电压漂移问题，通过对大量工艺实验数据的统计分析，提出了电路失效模型，又运用理论分析，找出了问题的原因所在。据此改进了设计和工艺，并经实验验证，效果良好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高庆宁		1	0	0.0	0.0