GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 极性控制 生长方法 生长条件
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 315-318
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 798字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.04.001

摘要

研究了在GaAs(111)衬底上生长的六角相GaN的极性的相关关系.在高V/Ⅲ比的条件下用MOVPE和MOMBE方法生长的GaN的极性和GaAs衬底的极性一致;在(111)A-Ga表面上的生长层呈现Ga的极性,而在(n1)B-As表面上的生长层呈现N的极性.然而,在低的V/Ⅲ比,或采用一个～N中间层的条件下,用HVPE和MOMBE方法在GaAs(111)B表面上生长的GaN呈现出Ga的极性.目前,其原因尚不清楚,但是这些结果表明采用HVPE生长方法或用一高温AlN阻挡层可以得到高质量的GaN.