4H-SiC射频功率MESFET大信号直流I-V特性解析模型

• 作者: 于春利 吕红亮 张义门 张玉明 杨林安
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 射频功率MESFET 非线性大信号模型 直流I-V特性
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1160-1164
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.015

摘要

根据4H-SiC高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点,对适用于Si和GaAs MESFET的直流I-V特性理论进行了分析与修正.采用高场下载流子速度饱和理论,以双曲正切函数作为表征I-V特性的函数关系,建立了室温条件下4H-SiC射频功率MESFET直流I-V特性的准解析模型,适于描述短沟道微波段4H-SiC MESFET的大信号非线性特性,计算结果与实验数据有很好的一致性.同时与MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	杨林安	西安电子科技大学微电子研究所	17	95	6.0	9.0
3	于春利	西安电子科技大学微电子研究所	8	63	4.0	7.0
4	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0
5	吕红亮	西安电子科技大学微电子研究所	18	88	5.0	9.0