优良的单管存储 (Flash Memory) 单元

• 作者: 杜支华
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: Flash Memory 单元结构 EEPROM EPROM
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN47|TN432
• 字数: 1570字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2001.02.011

摘要

本文介绍了单管存储(Flash Memory)单元的优点、单元结构及工作原理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜支华		1	2	1.0	1.0