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摘要:
近几年来,随着VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术,受到人们的广泛关注.文中介绍了基本的铜互连布线技术,包括单、双镶嵌工艺,CMP工艺,低介电常数材料和阻挡层材料,及铜互连布线的可靠性问题.
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文献信息
篇名 铜互连布线及其镶嵌技术在深亚微米IC工艺中的应用
来源期刊 固体电子学研究与进展 学科 工学
关键词 铜布线 镶嵌技术 化学机械抛光 介质材料 介电常数 可靠性
年,卷(期) 2001,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 407-414
页数 8页 分类号 TN47|TN405.97
字数 5131字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.04.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邵丙铣 复旦大学材料科学系 41 234 10.0 13.0
2 黄榕旭 5 47 3.0 5.0
3 郑国祥 复旦大学材料科学系 24 138 6.0 10.0
4 宗祥福 复旦大学材料科学系 39 315 11.0 16.0
5 张兆强 复旦大学材料科学系 4 35 1.0 4.0
6 杨兴 复旦大学材料科学系 2 35 1.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
铜布线
镶嵌技术
化学机械抛光
介质材料
介电常数
可靠性
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
固体电子学研究与进展
双月刊
1000-3819
32-1110/TN
大16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
1981
chi
出版文献量(篇)
2483
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5
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9851
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