CVD技术在制备含硅化合物膜层中的应用

• 作者: 刘立 叶必光 沈复初 田丽 袁骏 郦剑
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 工学
• 关键词: CVD 含硅化合物膜
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 128-131
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 4191字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.032

摘要

本文综述了近十几年来CVD技术在不同基底材料上制取含硅化合物膜层的研究应用,并提出了目前存在的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郦剑	浙江大学材料系	81	743	15.0	23.0
2	袁骏	浙江大学材料系	22	362	10.0	18.0
3	沈复初	浙江大学材料系	4	26	4.0	4.0
4	刘立	浙江大学材料系	4	45	3.0	4.0
5	叶必光	浙江大学材料系	2	10	2.0	2.0
6	田丽	浙江大学材料系	3	34	2.0	3.0