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摘要:
Ni-SiO2金属陶瓷薄膜是制作透明电阻层的材料,用射频磁控溅射反应制备对近紫外透明的Ni-SiO2薄膜,生成的样品均匀、致密,通过控制薄膜中的金属体积百分比可改变薄膜的电阻率及透光性满足实际工艺需求.X射线能谱分析可以估算出Ni在样品中的百分比,各种不同制备条件下的样品透射率有较大的差别.
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文献信息
篇名 射频溅射制备Ni-SiO2薄膜特性研究
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 Ni-SiO2薄膜 金属体积百分比 射频溅射 透光性
年,卷(期) 2001,(3) 所属期刊栏目 研究与开发
研究方向 页码范围 323-324
页数 2页 分类号 TF123
字数 1329字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2001.03.040
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李德杰 清华大学电子工程系 34 152 8.0 10.0
2 屈晓声 清华大学电子工程系 6 14 2.0 3.0
3 姚保纶 清华大学电子工程系 7 18 3.0 4.0
传播情况
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2012(1)
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研究主题发展历程
节点文献
Ni-SiO2薄膜
金属体积百分比
射频溅射
透光性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
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