低电阻率Si—C—O纤维制备

• 作者: 冯春祥 刘军 宋永才
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 航空航天
• 关键词: 碳化硅纤维 电阻率 制备
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: V25
• 字数: 2370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2001.02.008

摘要

采用将聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解合成制备了si-C-O纤维先驱体聚合物，并对其进行了表征。表明反应体系中聚氯乙烯含量较高时，生成的先驱体聚合物既有聚碳硅烷的结构特征，又具有—CH＝CH—共轭结构特征的一(SiCH3H-CH2)n—(CH＝CH)m—共聚物。先驱体聚合物经熔融纺丝及NO2不熔化处理，高温烧成制得低电阻率Si—C—O纤维(电阻率小于100Ω.cm)，而通过聚碳硅烷制得的SiC纤维电阻率为106Ω.cm。结果表明能够从聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解出发制备低电阻率Si—C—O纤维。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋永才		86	796	14.0	22.0
2	冯春祥		47	569	12.0	20.0
3	刘军		20	123	5.0	10.0