新型亚50纳米硅栅制作技术

• 作者: 关旭东 刘晓彦 张大成 张盛东 李婷 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅栅 亚50nm 图形转移 光刻
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 特邀综合评述
• 页码范围: 565-568
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 504字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.007

摘要

提出并演示了一新型的低成本亚50纳米多晶硅栅制作技术.该技术的特点是它与光刻分辨率无关,即不需要高分辨率光刻技术.纳米尺度的栅掩膜图案是由台阶侧壁图形的转移所形成.实验结果表明,该技术制成的硅栅的栅长由形成侧壁图形的薄膜之厚度所决定,大致为该厚度的75%—85%.SEM照片显示硅栅的剖面为倒梯形结构.与其它结构(如矩形或正梯形)相比,该结构有利于减少栅电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子所	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子所	38	261	10.0	14.0
3	张大成	北京大学微电子所	43	793	13.0	27.0
4	李婷	北京大学微电子所	44	616	13.0	23.0
5	张盛东	北京大学微电子所	13	47	4.0	6.0
6	关旭东	北京大学微电子所	3	13	2.0	3.0