GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格结构

• 作者: 于福聚 刘义族
• 来源期刊: 天津师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格 CdTe/ZnTe/GaAs异质结 X-射线衍射 透射电子显微镜
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 3048字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1114.2001.03.012

摘要

用X-射线衍射测定了分子束外延(MBE)法生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格样品在(001)附近的扫描徊摆曲线,并用动力学理论模拟计算出衍射曲线,实验曲线与理论计算基本上相符合. 由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度,阱HgTe层厚度及垒Hg1-xCdxTe层厚度与模拟计算的相一致. 用透射电子显微镜(TEM)对同一样品的横截面进行了分析,对CdTe/ZnTe/ GaAs异质结界面失配位错的组态特征进行了研究. 证明用CdTe/ZnTe作为双缓冲层比单一的CdTe有较好的效果. 截面TEM高分辨率明场象显示Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格的生长较为成功,界面较为平整. 由截面TEM高分辨率明场象观测的周期长度与X-射线衍射测定的结果相接近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘义族	天津师范大学物理与电子信息学院	4	18	2.0	4.0
2	于福聚	中国科学院上海技术物理研究所	2	1	1.0	1.0