磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er3+1.54μm光致发光

• 作者: 乔永平 傅济时 冉广照 宗婉华 张伯蕊 秦国刚 袁放成 陈源 马振昌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Er 富Si氧化硅 光致发光 纳米硅
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2487-2491
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.12.038

摘要

用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜.室温下测量其光致发光谱,观察到各谱中都含有1.54和1.38μm两个发光峰,其中1.54和1.38μm的光致发光峰分别来自E,+和氧化硅中某种缺陷.系统研究了Er3+1.54μm光致发光峰强度对富Si程度及退火温度的依赖关系.还发现1.54μm发光峰强度与1.38μm发光峰强度相互关联,对此进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦国刚	北京大学物理系	20	128	6.0	10.0
2	马振昌		5	27	3.0	5.0
3	张伯蕊	北京大学物理系	11	70	4.0	8.0
4	乔永平	北京大学物理系	8	27	3.0	5.0
5	陈源	北京大学物理系	12	78	4.0	8.0
6	冉广照	北京大学物理系	10	19	2.0	4.0
7	袁放成	北京大学物理系	2	14	1.0	2.0
11	傅济时	北京大学物理系	2	13	1.0	2.0