智能剥离工艺的热动力学模型

• 作者: 余金中 韩伟华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热动力学 智能剥离 剥离时间 劈裂温度
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 821-825
• 页数: 5页
• 分类号: TN301.1
• 字数: 892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.002

摘要

提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果.氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能,氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数.氢气泡的临界半径可根据Griffith能量平衡条件来获得.根据氢气泡增长的这一临界条件,获得了不同劈裂温度时所需的剥离时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所	110	703	13.0	21.0
2	韩伟华	中国科学院半导体研究所	20	98	5.0	9.0