相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

• 作者: 侯德胜 冯伯儒 周崇喜 张锦 苏平
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 相移掩模 光学邻近效应校正 光刻技术
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 4726字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2001.01.001

摘要

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法、改善光刻图形质量的机理及邻近效应校正掩模的一些设计问题。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯伯儒	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	30	293	9.0	16.0
2	周崇喜	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	28	264	10.0	15.0
3	侯德胜	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	12	150	4.0	12.0
4	苏平	中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室	4	77	3.0	4.0