外吸除用硅片背面加工技术的研究

• 作者: 周子美 李积和 邹子英 闵靖 陈一 陈青松
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 机械损伤 软损伤 氧化诱生层错 S坑缺陷 外吸除 内吸除
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 340-344
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 2899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2001.05.006

摘要

用 SEM、TEM 和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤(包括软损伤)和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理.实验结果表明,用本技术能减少S坑密度,提高硅片产生寿命,对金、铜等金属杂质有吸杂的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈一	复旦大学材料研究院	41	357	9.0	17.0
2	邹子英		12	55	5.0	7.0
3	闵靖		8	39	3.0	6.0
4	李积和		3	15	2.0	3.0
5	陈青松		2	3	1.0	1.0
6	周子美		2	3	1.0	1.0