硅片少子寿命的直排四探针测试

• 作者: 周全德
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 少子寿命 直排四探针 电阻率测试 注入
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 292-294
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.07
• 字数: 1707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.009

摘要

用直排四探针方法测试硅抛光片的电阻率时，减少表面复合和增大测试电流故意引进注入使电阻率减少，根据电导率与少数载流子寿命成正指数增加的关系，求得少子寿命．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周全德	上海市计量测试技术研究院中国上海测试中心	2	10	1.0	2.0