集成电路的技术热点

• 作者: 黄辛
• 来源期刊: 世界产品与技术
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 计算机元器件
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

1.半导体存储器向大容量、高速度方向发展 目前,DRAM的发展方向是向大容量、高集成度,高速专用化发展,1998年64M DRAM开始大量上市,现已成为市场主流产品,随着PC、移动电话、网络等信息产品的快速增长,对大容量DRAM的需求将增长,2001年,128M产品市场将超过64M成为主流产品.目前,日韩等国大公司都在积极扩充128M产品.2000年三星还首次开发出512MDRAM,预计明年下半年批量生产.富士通、东芝与我国台湾华邦公司最近联合宣布,将投入300亿日元,共同研发0.13微米和0.11微米的DRAM制造技术,并于2001年底之前开发1G DRAM.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄辛		2	0	0.0	0.0