IGBT的Hammerstein结构宏模型研究

• 作者: 孔力 张宇
• 来源期刊: 电工电能新技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宏模型 IGBT 仿真
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 论文报告
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.2
• 字数: 2398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-3076.2001.03.002

摘要

基于生产厂家提供的电参数和特性曲线,采用Hammerstein结构宏模型建立了IGBT的器件仿真模型.采用最小二乘法作为模型参数提取的统一方法,利用状态变量法对使用IGBT为开关器件的直流斩波电路进行了仿真研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张宇	中国科学院电工研究所	212	2104	24.0	35.0
2	孔力	中国科学院电工研究所	80	1944	19.0	43.0