GaN直纳米线的光学性能

• 作者: 曹永革 李建业 杨智 许涛 许燕萍 贺蒙 陈小龙 魏志锋
• 来源期刊: 光散射学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN纳米线 光学性能 拉曼光谱 光致发光光谱
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: O482.3
• 字数: 1387字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-5929.2001.01.005

摘要

对GaN直纳米线的拉曼光谱及光致发光光谱进行了研究.拉曼光谱表明,与计算值相比,E2(high)声子频率在560cm-1有-9cm-1的移动,这种声子频率显示出向低能带频移及带变宽的特征,是由于纳米尺寸效应所引起的结果.体系的光致发光光谱在344.8nm附近的近带隙发光,与文献报道的GaN体材料的数值365nm相比有一蓝移,这是由于量子限制效应造成的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹永革	中国科学院物理研究所	10	109	4.0	10.0
2	许涛	中国科学院物理研究所	21	206	8.0	14.0
3	杨智	中国科学院物理研究所	4	32	3.0	4.0
4	李建业	中国科学院物理研究所	4	22	3.0	4.0
6	许燕萍	中国科学院物理研究所	5	13	3.0	3.0
9	魏志锋	中国科学院物理研究所	3	49	3.0	3.0
11	贺蒙	中国科学院物理研究所	2	6	2.0	2.0