GaN基紫外探测器的研究与制备

• 作者: 冯志宏 刘素英 张书明 朱建军 杨辉 段俐宏 赵德刚
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 紫外探测器 MOCVD
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 87-90
• 页数: 4页
• 分类号: TN364
• 字数: 599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.021

摘要

报道了用MOCVD方法在GaAs衬底上制作p-GaN/InGaN/n-GaN结构紫外探测器.我们对器件进行了测试分析.根据器件光伏信号强度和相位的测量结果,我们得到了该器件的能带结构图.我们还发现Ni/Au电极与p-GaN之间的接触表现出肖特基接触的特性.该探测器在入射光波长为375nm处的响应度大约为7.4×10-3A/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨辉		179	2701	25.0	46.0
2	赵德刚		42	214	9.0	12.0
3	张书明		11	20	3.0	4.0
4	朱建军		17	121	5.0	10.0
5	冯志宏		4	7	1.0	2.0
6	段俐宏		2	0	0.0	0.0
7	刘素英		2	3	1.0	1.0