硅靶中频反应磁控溅射二氧化硅薄膜的特性研究

• 作者: 侯晓波 吴克坚 周海军 查良镇 范垂祯 许生 赵来 颜远全 高文波
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 反应磁控溅射 二氧化硅特性
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TB43
• 字数: 4681字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2001.05.001

摘要

报道了中频双靶反应磁控溅射制备二氧化硅(SiO2)薄膜的装置、工艺及薄膜特性.对制备的SiO2薄膜的化学配比和元素化学态进行了SAM和XPS分析,测试了膜层对钠离子(Na+)阻挡性能、光学折射率和可见光的透过率.研究表明作者开发的中频双靶反应磁控溅射沉积SiO2薄膜的设备和工艺可以高速率、大面积制备高质量的SiO2膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许生		10	149	5.0	10.0
2	范垂祯		10	149	5.0	10.0
3	赵来	清华大学电子工程系	4	127	4.0	4.0
4	查良镇	清华大学电子工程系	25	295	10.0	17.0
5	高文波		3	51	2.0	3.0
6	侯晓波	清华大学电子工程系	1	47	1.0	1.0
7	周海军		1	47	1.0	1.0
8	吴克坚		1	47	1.0	1.0
9	颜远全		1	47	1.0	1.0