POS阴极侵蚀与电流损失和阻抗崩溃的关系

• 作者: 孙凤举 曾正中 邱毓昌 邱爱慈
• 来源期刊: 电工电能新技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体断路开关 阴极侵蚀 断路性能 微秒传导时间
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 论文报告
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TM836
• 字数: 1698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-3076.2001.04.001

摘要

指出微秒传导时间等离子体断路开关(POS)阴极释出的荷电金属微粒引起的双极流和阴极等离子体扩张运动可能显著降低开关的断路性能;给出了POS断路电流的一个解析表达式,与实验相符;导出了不同阴极金属抗电流侵蚀能力的表征式;通过理论分析预期,采用抗侵蚀能力强的阴极材料可以改善微秒传导时间POS的断路性能,得到实验验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱毓昌		228	4719	36.0	54.0
2	曾正中		51	343	12.0	15.0
3	邱爱慈		111	902	15.0	20.0
4	孙凤举		50	380	12.0	15.0