辐射致冷用氮化硅薄膜的微观结构和光学性质

• 作者: 李戬洪 梁宗存 沈辉
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅薄膜 结构 反射率 辐射致冷
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 302-305
• 页数: 4页
• 分类号: TK511+.3
• 字数: 2201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2001.03.013

摘要

采用射频等离子体化学气相沉积(PECVD)法制备了SiNx薄膜.用X-射线荧光光谱、红外吸收光谱、红外反射光谱以及扫描电镜对薄膜的成分、结构、表面形貌和光学性质进行了初步研究.X-射线荧光分析表明SiNx薄膜的组成为SiN0.35.从红外透过光谱可见,氮参加了反应并生成Si-N键,薄膜中有少量的Si-H键和N-H键.红外反射光谱表明SiN0.35薄膜是非常好的窗口材料,在8～13 μm波段内具有很低的反射率,8～13μm波段外反射率高,适合制备辐射制冷体.SEM观察结果对薄膜的表面形态和生长机量给予了初步解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈辉	中国科学院广州能源研究所	50	891	14.0	29.0
2	李戬洪	中国科学院广州能源研究所	35	1103	17.0	33.0
3	梁宗存	中国科学院广州能源研究所	12	189	6.0	12.0