ZnTe∶Cu薄膜的制备及其性能

• 作者: 冯良桓 张静全 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 黎兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnTe∶Cu薄膜 制备 测试
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 171-176
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3767字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.013

摘要

用共蒸发法在室温下沉积了ZnTe∶Cu多晶薄膜.刚沉积的不掺Cu的薄膜呈立方相，适度掺Cu时为立方相和六方相的混合相.随着Cu含量的增加，六方相增加，光能隙减小.根据暗电导温度关系，结合XRD和DSC的结果，认为在110℃、170℃开始出现类CuTe、类Cu2Te相以及Cu0、Cu＋离解的结果导致电导温度关系异常，应用这种薄膜作为背接触层获得了转换效率为11.6%，面积为0.52cm2的CdS/CdTe/ZnTe∶Cu太阳电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黎兵	四川大学材料科学系	44	264	8.0	15.0
2	冯良桓	四川大学材料科学系	78	424	10.0	17.0
3	蔡亚平	四川大学材料科学系	33	302	10.0	16.0
4	郑家贵	四川大学材料科学系	49	317	9.0	15.0
5	张静全	四川大学材料科学系	69	285	8.0	15.0
6	蔡伟	四川大学材料科学系	30	296	10.0	16.0