高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴

• 作者: 张显斌 施卫 陈二柱
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 论文摘要
• 页码范围: 29
• 分类号: TN2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2001.01.025

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张显斌	西安理工大学理学院	29	407	10.0	19.0
2	施卫	西安理工大学理学院	85	925	17.0	25.0
3	陈二柱	西安理工大学理学院	3	25	2.0	3.0