采用TEOS和H2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜

• 作者: 廖左升 杨基南 杨沁清 王启明 王红杰 胡雄伟 邓晓清 雷红兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化硅 PECVD 平面波导
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 特邀综合评述
• 页码范围: 543-547
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1385字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.003

摘要

开展了使用TEOS和H2O混合物进行PECVD生长SiO2膜的研究工作.氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围，且随偏离中心距离基本不变.薄膜厚度是中央大，边沿薄，其厚度相对变化不超过±1.5％（51mm衬底).利用TEOS源PECVD，并结合退火技术，摸索出厚膜氧化硅生长工艺，已成功地在硅衬底上生长出厚度超过15μm氧化硅厚膜，可用于制备氧化硅平面波导器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王红杰	中国科学院半导体研究所	32	93	6.0	7.0
2	胡雄伟	中国科学院半导体研究所	41	134	6.0	9.0
3	杨沁清	中国科学院半导体研究所	11	78	6.0	8.0
4	王启明	中国科学院半导体研究所	118	735	14.0	20.0
5	邓晓清	中国科学院半导体研究所	3	21	2.0	3.0
6	雷红兵	中国科学院半导体研究所	7	46	4.0	6.0
7	廖左升		1	4	1.0	1.0
8	杨基南		1	4	1.0	1.0