非痴呆帕金森病短时记忆障碍的事件相关电位研究

• 作者: 孙江玲 孙相如 张冠群 石昕
• 来源期刊: 铁道医学
• 学科: 医学
• 关键词: 痴呆 帕金森病 短时记忆障碍 事件相关电位
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 288-290
• 页数: 3页
• 分类号: R742.5
• 字数: 2335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7562.2001.05.003

摘要

目的评价事件相关电位对非痴呆帕金森病短时记忆障碍诊断的临床价值.方法对24例非痴呆帕金森病患者(病例组)和30例健康受试者(对照组)进行短时记忆测试,同时分别完成听觉经典Oddball序列、视觉非经典Oddball序列事件相关电位检查.结果经典Oddball序列诱发的P300潜伏期、波幅与非经典Oddball序列诱发的P450潜伏期比较,两组间无明显差异(P>0.05),病例组P450波幅[(27.0±3.9)μV]较对照组[(39.7±6.1)μV]明显降低(P<0.05),且与记忆商值呈正相关(r=0.93,P<0.05).结论应用某些特殊诱发模式,事件相关电位对短时记忆障碍的诊断有一定的临床价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙相如	北京大学第一医院神经内科	26	250	8.0	15.0
2	石昕	北京大学第一医院神经内科	25	220	9.0	14.0
3	张冠群	东南大学医学院附属徐州医院神经内科	7	28	3.0	5.0
4	孙江玲	北京大学第一医院神经内科	2	1	1.0	1.0