二硅化钼材料低温氧化的研究进展

• 作者: 江莞 王刚 赵世柯
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 二硅化钼 低温氧化 Pesting
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1041-1048
• 页数: 8页
• 分类号: TQ174
• 字数: 4200字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.003

摘要

介绍了二硅化钼低温氧化的研究进展,对当今几种二硅化钼材料低温氧化发生"Pesting”现象的机理模型及改善低温抗氧化的方法进行了评述,在此基础上提出了今后的二硅化钼低温氧化研究的重点和方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王刚	中科院上海硅酸盐研究所	6	72	4.0	6.0
2	江莞	中科院上海硅酸盐研究所	5	117	4.0	5.0
3	赵世柯	中科院上海硅酸盐研究所	2	36	2.0	2.0