用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导

• 作者: 刘云燕 张德恒 张德骏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN MOCVD 光电导 光响应
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1800-1804
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3426字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.09.033

摘要

报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应,而且光响应弛豫时间也较短.在弱光范围,光响应随光强的变小呈线性减弱,且光响应的弛豫时间变长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张德恒	山东大学物理系	18	450	12.0	18.0
2	张德骏	山东大学物理系	13	55	5.0	6.0
3	刘云燕	山东大学物理系	2	7	1.0	2.0