凹槽深度与槽栅PMOSFET特性

• 作者: 任红霞 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 槽栅PMOSFET 负结深 器件特性
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 622-628
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.018

摘要

基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅PMOSFET性能的影响进行了分析，对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论，最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性的影响进行了对比.研究结果表明随着负结深(凹槽深度)的增大，槽栅器件的阈值电压升高，亚阈斜率退化，漏极驱动能力减弱，器件短沟道效应的抑制更为有效，抗热载流子性能的提高较大，且器件的漏极驱动能力的退化要比改变结深小.因此，改变槽深加大负结深更有利于器件性能的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	任红霞	西安电子科技大学微电子研究所	21	53	4.0	5.0