不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较

• 作者: 张义门 张玉明 陈世彬 陈雨生 黄流兴
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 数学
• 关键词: 辐射损伤 能量沉积 计算机模拟 MonteCarlo
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 180-184,168
• 页数: 7页
• 分类号: O242.1|O571.33
• 字数: 5038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2001.03.006

摘要

在粒子与物理相互作用的理论基础上,编写了计算中子非电离能量损失(NIEL)和电离能量损失(IEL)以及电子和γ NIEL的Monte Carlo计算程序,利用编写的程序以及TRIM95和SANDYL程序计算了1MeV中子、20MeV质子、1MeV以下电子和γ在硅中IEL和NIEL的大小和分布。对计算结果进行了分析和比较。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0