价态和结构对VO2薄膜热致相变光电性能的影响

• 作者: 何捷 卢勇 林理彬 王鹏 邹萍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: VO2薄膜 热致相变 光电性能
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 185-191
• 页数: 7页
• 分类号: TQ135.1|O571.33
• 字数: 3892字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.015

摘要

本文通过合理控制真空还原时间和真空还原温度，利用真空还原V2O5的方法制备出具有优良热致相变性能的VO2薄膜；通过研究不同真空还原时间及真空退火温度对VO2薄膜结构和热致相变过程中光电性能的影响，得到最佳真空还原参数；制备的薄膜高/低温电阻变化最大达3个数量级，900nm波长光透过率在相变前后改变了40%左右，光学特性相变响应参数较大，热致相变性能优良。利用XPS、XRD对不同条件制备薄膜的化学状态和结晶状态进行了研究，结果表明较低温度退火有利于V5+离子的还原，而升高退火温度可改善结晶状态，退火时间对VO2中结晶状况和V离子价态有显著影响。讨论了离子价态和样品结晶状态对VO2薄膜热相变过程中热滞回线的宽度、相变温度点的影响。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鹏	四川大学物理系	169	692	14.0	20.0
2	林理彬	四川大学物理系	90	605	13.0	20.0
3	何捷	四川大学物理系	48	382	11.0	17.0
4	卢勇	四川大学物理系	27	243	8.0	14.0
5	邹萍	四川大学分析测试中心	27	214	9.0	13.0