纳米Si/C/N复相粉体的制备及其在不同基体中的微波介电特性

• 作者: 周万城 赵东林
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米Si/C/N复相粉体 微波介电常数 微观结构 界面作用
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 909-914
• 页数: 6页
• 分类号: TM25
• 字数: 4195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.021

摘要

以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me:CH3)为原料,用双反应室激光气相合成纳米粉体装置制备了纳米Si/C/N复相粉体.研究了纳米Si/C/N复相粉体在不同基体中8.2～12.4GHz的微波介电特性,纳米粉体介电常数的实部(ε')和虚部(ε″)随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε″/ε′)较高.纳米Si/C/N复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米Si/C/N复相粉体中形成大量的带电缺陷,极化弛豫是吸收电磁波的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周万城		206	1931	22.0	34.0
2	赵东林		16	295	8.0	16.0