3C-SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光

• 作者: 王建农 胡宝宏 陈治明 雷天民 马剑平
• 来源期刊: 西安理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 3C-SiC薄膜 热丝CVD 退火 光荧光
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 335-337
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055|TN304.024
• 字数: 2105字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4710.2001.04.001

摘要

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4+SiH4+H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C-SiC晶体薄膜.对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光(PL)分析.结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域的展宽发光谱线,主峰位置在520 nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450 nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移.比较结果说明快速退火处理极易给3C-SiC晶体薄膜造成应力损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建农		13	55	4.0	7.0
2	胡宝宏		4	31	2.0	4.0