InP材料直接键合技术

• 作者: 孙长征 李宁 罗毅 郝智彪 韩彦军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直接键合 InP 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 页码范围: 1217-1221
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 4262字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.026

摘要

研究了InP/InP的直接键合技术,给出了详细的InP/InP键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据,在低于650℃的键合温度下实现了InP/InP大面积的均匀直接键合,获得了与单晶InP衬底相同的电特性和机械强度.在器件的键合实验中也获得了成功,在InGaAsP/InP多量子阱激光器结构的外延面上键合p-InP衬底后制作的激光器激射特性良好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩彦军	清华大学电子工程系	14	127	5.0	11.0
2	郝智彪	清华大学电子工程系	12	34	2.0	5.0
3	孙长征	清华大学电子工程系	22	73	3.0	8.0
4	李宁	清华大学电子工程系	30	446	9.0	21.0
5	罗毅	清华大学电子工程系	38	223	8.0	14.0