SOI MOSFET转移特性中的深度饱和现象研究

• 作者: 张正幡 朱建纲 郝跃 郭林
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SOI 深度饱和 热载流子 界面陷阱
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 120-125
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3506字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2001.01.024

摘要

研究了SIMOX SOI器件的电学特性.发现在众多的MOSFET中，输出特性曲线的低漏压端都出现了“鸟嘴”形畸变，表现在转移特性曲线上便是高栅压区域中漏电流的深度饱和.在经历沟道热载流子应力之后，这类器件的电学参数退化不同于一般器件的损伤特性.研究发现NMOSFET在应力之后其漏电流的深度饱和得到恢复；而对于PMOS，应力之后输出特性中的“鸟嘴”形畸变并没有消弱的迹象.这些性质对于SOI器件可靠性设计和可靠性加固均是重要的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	朱建纲	西安电子科技大学微电子研究所	5	13	3.0	3.0
3	郭林		2	5	1.0	2.0
4	张正幡		2	5	1.0	2.0