用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构

• 作者: 余辛 康俊勇 詹华瀚 黄启圣
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 杂质缺陷 深能级 Laplace谱
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 362-364
• 页数: 3页
• 分类号: O474
• 字数: 1938字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2001.05.018

摘要

用Laplace缺陷谱仪(LDS)实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中Sn DX 中心上电子发射引起的非指数瞬态,发现它们起因于混晶无序效应.与DLTS的单一谱峰比较,LDS谱呈现出多峰结构.由深能级上空穴与电子热发射率随温度关系的直线拟合,得到多峰结构各峰谱的激活能,认为它们反映杂质深中心与其近邻原子的不同结构.研究表明,LDS适用于深能级精细结构的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康俊勇	厦门大学物理系	29	84	5.0	8.0
2	黄启圣	厦门大学物理系	3	1	1.0	1.0
3	詹华瀚	厦门大学物理系	4	0	0.0	0.0
4	余辛	厦门大学物理系	1	0	0.0	0.0