氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用

• 作者: 张锦心 朱爱平 李东升 李立本 杨德仁 王淦 阙端麟 黄笑容
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶 位错 氮
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1401-1405
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 4349字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.010

摘要

通过常温下压痕之后的高温热处理实验,研究了掺氮直拉硅单晶(NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理.实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶(CZSi).同时指出,NCZSi的位错激活能比CZSi的要高,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较CZSi快,并讨论了压痕造成的塑性变形能通过位错的滑移而释放的可能机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
3	黄笑容	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	19	2.0	3.0
4	李立本	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	94	7.0	9.0
5	李东升	浙江大学硅材料国家重点实验室	36	130	6.0	10.0
6	王淦	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	11	1.0	3.0
7	朱爱平	浙江大学硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
8	张锦心	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	9	1.0	2.0