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摘要:
给出了一种简单而有效的碲镉汞(MCT)离子注入工艺模型,研究了应用该模型进行计算机模拟的数值方法,最后讨论了该模型中一些重要参数的确定方法。
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文献信息
篇名 一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法
来源期刊 红外技术 学科 工学
关键词 碲镉汞 离子注入 模型 模拟
年,卷(期) 2001,(1) 所属期刊栏目 材料与器件
研究方向 页码范围 19-22
页数 4页 分类号 TN213
字数 3191字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-8891.2001.01.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 仲顺安 北京理工大学电子工程系 54 185 7.0 10.0
2 曲秀杰 北京理工大学电子工程系 16 419 8.0 16.0
3 刘向华 北京理工大学电子工程系 1 1 1.0 1.0
传播情况
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2001(1)
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研究主题发展历程
节点文献
碲镉汞
离子注入
模型
模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
出版文献量(篇)
3361
总下载数(次)
13
总被引数(次)
30858
论文1v1指导