外延层电阻率四探针与C－V测试的差异及校正

• 作者: 梁卿才 陈建国
• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 外延层 电阻率 C-V测试 四探针 测试仪器
• 年，卷（期）: jcdltx_2001,（3）
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TM93

摘要

采用四探针与C－V两种测试仪器，对同一参数的外延片电阻率进行测试，测试结果表明，用四探测针试外延陪片和C－V测试处延片，测得的外延电阻率存在差异。分析造成差异的原因，得出了符合要求的校正系数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈建国		9	42	2.0	6.0
2	梁卿才		2	0	0.0	0.0