低碳含量a-Si1-xCx∶H薄膜的化学键结构

• 作者: 刁宏伟 孔光临 岳瑞峰 廖显伯 王永谦 王燕 韩和相
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: a-Si1-xCx∶H薄膜 Raman测量 硅团簇
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 599-603
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 3707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.013

摘要

利用两种不同激发波长进行Raman测量，研究了低碳含量a-Si1-xCx∶H(～＜20at.%)薄膜的结构特征.采用647.1nm激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的穿透深度；而采用488nm激发时，激发光被样品表面强烈吸收.探测深度的变化造成了两种激发下Raman谱出现较大的差异.实验结果表明样品体内存在硅团簇结构，样品的自由表面存在一层高浓度的缺陷层.这两种空间的不均匀性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽.以上结果证明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳瑞峰	清华大学微电子学研究所	67	379	11.0	15.0
2	廖显伯	中国科学院半导体研究所	31	378	7.0	19.0
3	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0
4	韩和相	中国科学院半导体研究所	8	9	2.0	3.0
5	王永谦	中国科学院半导体研究所	9	59	5.0	7.0
6	刁宏伟	中国科学院半导体研究所	16	222	8.0	14.0
7	孔光临	中国科学院半导体研究所	7	70	4.0	7.0