High Performance 70nm CMOS Devices

• 作者: 刘明 季红浩 徐秋霞 朱亚江 殷华湘 贾林 钱鹤 陈宝钦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高性能 70nm CMOS器件 源漏延伸区 氮化栅氧化介质 锗预无定形注入 自对准硅化物
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 134-137
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.02.006

摘要

首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件．为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力，采用了一些新的关键工艺技术，包括3nm的氮化栅氧化介质，多晶硅双栅电极，采用重离子注入的超陡倒掺杂沟道剖面，锗预无定形注入加低能注入形成的超浅源漏延伸区，以及锗预无定形注入加特殊清洗处理制备薄的、低阻自对准硅化物等．CMOS器件的最短的栅长(即多晶硅栅条宽度)只有70nm，其NMOS的阈值电压、跨导和关态电流分别为0.28V、490mS/m和0.08nA／μm；而PMOS阈值电压、跨导和关态电流分别为－0.3V、340mS／mm和0.2nA／μm．并研制成功了100nm栅长的CMOS57级环形振荡器，其在1.5V、2V和3V电源电压下的延迟分别为23.5ps/级、17.5ps/级和12.5ps/级．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心一室	207	1983	20.0	38.0
2	徐秋霞	中国科学院微电子中心一室	37	108	6.0	8.0
3	陈宝钦	中国科学院微电子中心一室	50	361	11.0	16.0
4	钱鹤	中国科学院微电子中心一室	32	164	7.0	12.0
5	朱亚江	中国科学院微电子中心一室	5	32	3.0	5.0
6	殷华湘	中国科学院微电子中心一室	11	23	3.0	4.0
7	贾林	中国科学院微电子中心一室	2	8	2.0	2.0
8	季红浩	中国科学院微电子中心一室	1	5	1.0	1.0