CdSe单晶体的生长及其特性研究

• 作者: 宋芳 朱世富 朱兴华 王学敏 赵北君 邵双运 金应荣
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdSe单晶体 多级提纯 气相生长 电阻率
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 页码范围: 119-122
• 页数: 4页
• 分类号: O782|O73
• 字数: 1501字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.002

摘要

本文报道了用改进的垂直气相法(多级提纯垂直气相法)生长富Cd的CdSe单晶体，并对晶体的性能进行了观测，其电阻率为107Ωcm量级，电子陷阱浓度为108cm-3量级，第一次报道了(110)面的腐蚀形貌。结果表明：采用这种方法制备CdSe单晶，设备简单，易于操作，在提纯和生长过程中不需要转移原料，有利于减少晶体中的杂质含量，降低位错密度，改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	邵双运	四川大学材料科学系	12	136	8.0	11.0
4	金应荣	四川大学材料科学系	8	31	4.0	5.0
5	王学敏	四川大学材料科学系	2	16	2.0	2.0
6	宋芳	四川大学材料科学系	11	58	5.0	7.0
7	朱兴华	四川大学材料科学系	5	46	4.0	5.0