电荷泵法研究FLASH擦工作时带带隧穿引起的界面损伤

• 作者: 刘志弘 朱钧 潘立阳 苏昱 陈宇川
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 带带隧穿 电荷泵 倍增因子
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 69-73
• 页数: 5页
• 分类号: O485
• 字数: 3692字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.01.013

摘要

FLASH在擦操作的过程中，带带隧穿产生的空穴注入将会在SiO2/SiO2界面和氧化层中产生带电中心(包括界面态和陷阱)，影响电路的可靠性.利用电荷泵方法，通过应力前后电荷泵电流的改变确定出界面态和陷阱电荷的空间分布，为FLASH单元设计与改进可靠性，提供了理论和实验基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱钧	清华大学微电子所	43	464	12.0	20.0
2	潘立阳	清华大学微电子所	20	173	5.0	13.0
3	苏昱	清华大学微电子所	2	15	2.0	2.0
4	陈宇川	清华大学微电子所	1	4	1.0	1.0
5	刘志弘	清华大学微电子所	20	75	4.0	8.0