吸附促进位错发射、运动以及裂纹扩展的分子动力学模拟

• 作者: 乔利杰 刘辉 李忠吉 褚武扬 高克玮
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 化学
• 关键词: Al,Ga,分子动力学模拟,位错发射、运动,裂纹解理
• 年，卷（期）: 2001,（10）
• 页码范围: 1013-1017
• 页数: 5页
• 分类号: TG111.91|O647.32
• 字数: 3338字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2001.10.002

摘要

根据反演法获得的对势和EAM多体势计算了纯Al位错发射的临界应力强度因子KIe以及Griffith裂纹解理扩展的临界应力强度因子KIG.结果表明,用对势算出的值和断裂力学计算结果更相近.因此,用对势来研究吸附的影响是可行的分子动力学模拟表明,Ga吸附在裂纹表面将使KIG=0.42 MPa·/ 降至KIG=0.32 MPa·/ m,这表明吸附使表面能γ降至γ*(=0.58γ).Ga吸附使KIe=0.31 MPa·/ 降至KIe=0.24 MPa/ ;Ga吸附使位错运动的临界分切应力从Tc=2.05MPa降至Tc=1.82 MPa.这就表明,Ga吸附后能降低Al的表面能,从而促进位错发射和运动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高克玮	北京科技大学材料物理系	110	613	13.0	19.0
2	乔利杰	北京科技大学材料物理系	139	834	15.0	21.0
3	褚武扬	北京科技大学材料物理系	135	889	17.0	22.0
4	刘辉	北京科技大学材料物理系	9	74	4.0	8.0
5	李忠吉	北京科技大学材料物理系	3	23	3.0	3.0