低剂量SIMOX圆片研究

• 作者: 俞跃辉 李林 林梓鑫 牟海川 王曦 郑望 陈猛 陈静
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低剂量 硅岛密度 Si/SiO2界面 线缺陷密度
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1019-1024
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 4512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.014

摘要

用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征．结果显示，选择恰当的剂量能量窗口，低剂量SIMOX圆片表层Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅/二氧化硅界面陡峭．这些研究表明，低剂量SIMOX圆片制备是很有前途的SOI制备工艺．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈静	中国科学院上海冶金研究所	195	2091	24.0	37.0
2	俞跃辉	中国科学院上海冶金研究所	20	55	5.0	6.0
3	王曦	中国科学院上海冶金研究所	60	322	10.0	15.0
4	李林	中国科学院上海冶金研究所	89	1043	18.0	31.0
5	陈猛	中国科学院上海冶金研究所	19	341	8.0	18.0
6	郑望	中国科学院上海冶金研究所	4	17	2.0	4.0
7	林梓鑫	中国科学院上海冶金研究所	4	15	2.0	3.0
8	牟海川	中国科学院上海冶金研究所	2	6	1.0	2.0