抗干扰用MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器的tgd

• 作者: 师向虎 杨晓舟
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 抗干扰 金属化聚丙烯薄膜电容器 损耗角正切
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 7-9
• 页数: 4页
• 分类号: TM533+.3
• 字数: 3306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2001.03.004

摘要

以X2类MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器为例分析了影响该类电容器tgd 的主要因素。指出薄膜的方阻大小、芯子的错边、喷金粒子的大小、喷金前芯子端面上的灰尘是导致电容器芯子在经过赋能、成品耐电压试验、脉冲电压试验后tgd 变大的主要原因。在这类电容器制造过程中应严格控制这些因素。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	师向虎		1	1	1.0	1.0
2	杨晓舟		1	1	1.0	1.0