如何提高NTD硅单晶少子寿命

• 作者: 谢江帆
• 来源期刊: 四川有色金属
• 学科: 工学
• 关键词: P2O5 退火工艺 少子寿命(τ) 缺陷
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 有色冶金
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TF8
• 字数: 2584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-4079.2001.03.008

摘要

本文简要介绍了NTD硅单晶的退火工艺,通过在一次退火工艺和二次退火升τ工艺中,引入P2O5,结果表明:晶体表面的P2O5保护层在晶体表面的吸除作用能引起晶体内缺陷和杂质的消失,使晶体的少子寿命τ及τ的合格率大幅度升高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢江帆		1	0	0.0	0.0